项目背景
中国集成电路产品每年进口额超过3000亿美元，90%芯片依赖进口，一旦缺“芯”，将给国内的信息行业带来 毁灭性打击， 同时对我国的产业安全、信息安全和国家安全构成了巨大的威胁。由此，我国自主建设高端芯片 制造基地既非常必要，又 十分紧迫。建设国内高端硅光子芯片制造量产平台，一方面，可以抢占制高点，解决 中国高端芯片“空芯化”问题，缩小 科研与产业之间的鸿沟——“死亡之谷”；另一方面保障国家“产业安全， 信息安全和国家安全”。
硅光子芯片量产是国家头号战略发展计划，建立自主可控硅光子集成制造集群，实现国际领先硅光子产品生产， 是我国在 国际上建立5G领先优势的重要保证，也是“新基建” 战略实施顺利推进的重要前提。
技术优势
项目方领军人物曾带队成功搭建的新加坡微电子研究所（IME）硅光子制造工艺平台，与欧洲微电子研究中心（IMEC）并称 为世界最出色的两大硅光子工艺平台，不仅具国际领先技术，还有丰富的硅光生产线建设经验：
1、掌握国际先进/国内领先的硅光器件关键工艺技术：如不同材料不同类型波导的刻蚀、波导侧面粗糙度控制、 波导侧面 角度的修正、SiGe外延及位错的控制、各种悬空结构加工工艺、不同类型器件集成方案和工艺方法。
2、掌握国际先进/国内领先的硅光单元器件库：包括硅光无源器件和有源器件，如光纤-波导悬空耦合器、垂直光栅耦合器、 MMI分束器/合束器、微环谐振器、多波长微环谐波分复用器、AWG、光开关、高速调制器、 高速探测器、偏振旋转器。
3、已获授权硅光专利14项，其中美国专利7项、新加坡专利4项、中国3项；已申报中国专利28项。 关键工艺技术是制造平 台的最核心技术，关键元器件和器件专利是工艺技术水平的表现手段。
硅光子芯片通信的竞争优势
硅光子通信显著特点：速度快、高集成、低成本；
光芯片优势：延迟小、带宽大、耗电低、电磁干扰小、集成度高、量产化。
项目亮点
将是国内第一条高端硅光子芯片制造工艺量产线平台；
中科院、上海工研院及国外硅光子芯片机构顶尖技术团队领衔； 掌握国际领先的全套硅光子芯片制造工艺系统集成技术；
国家大基金领投，产业资本、行业上市公司及社会资本跟投； 华为、中兴、阿里、腾讯、百度、烽火、光迅等客户供不应求。
战略目标
10年实现芯片制造工程1000亿级市值。
项目规模与投资
半导体工艺，标准化工业设备，8.3亿设备投入， 10级无尘车间。
